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    IBM開發出首款基于SiC晶圓的石墨烯集成電路
           IBM研究中心公開了首款通過晶圓尺寸石墨烯制造出的集成電路,并展示了頻率高達10GHz的寬帶混頻器。這款模擬集成電路有一個石墨烯晶體管和一對整合在碳化硅晶圓上的電感器構成,以無線通信應用為目標。 
           該集成電路像寬帶混頻器一樣工作,混合(和或差)輸入信號后產生輸出信號;祛l器是很多電子通信系統的基礎元器件。研究人員表示該石墨烯集成電路混頻最多可以達到10GHz并且熱穩定性非常好,可以承受125攝氏度的高溫。IBM研究團隊表示碳化硅晶圓所取得的進展實現了晶圓尺寸的石墨烯生產流程,克服了設計限制,在保持石墨烯質量的同時能夠將它們集成進復雜的電路。 
         “很多納米技術突破集中在解決傳統硅處理器的短期缺陷上,而這次創新的研究對于克服設計障礙來說是一次里程碑。它通過新材料帶來硅半導體所無法提供的獨特功能”,IBM研究中心的一位研究人員如此說道。 
           研究人員通過對碳化硅晶圓進行熱退火在碳化硅表面形成均勻的石墨烯層,以此合成石墨烯。石墨烯電路的生產需要通過四層金屬和兩層氧化物組成頂柵結構的石墨烯晶體管、片上電感器和互連。IBM研究中心開發的這種生產方案也可以用于其它類型的石墨烯材料,包括將化學氣相淀積(CVD)石墨烯膜合成在金屬膜之上、也可用于光學光刻以改善成本和產能。 
          該研究組此前曾展示過獨立的石墨烯晶體管,外延石墨烯和化學氣相沉積石墨烯的截止頻率分別高達100GHz和155GHz,特征尺寸(柵極長度)分別為240nm和40nm。新石墨烯集成電路的突破正值IBM開始科學探索的100周年,這是IBM的一個主要里程碑也是DARPA贊助的碳電子射頻應用(CERA)項目的一次突破。
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